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2）低温多晶硅技术（LTPS TFT）

　　该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在

G4.5 代以下生产线相当成熟的

AMOLED 生产技术。

　　该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方式，将非晶硅薄膜变为多晶硅，
从而将电子迁移率从

0.5 提高到 50-100 cm2/V-s，以满足 OLED 电流驱动的要求。

　　该技术经过多年的商业化量产，产品性能优越，工作稳定性好，同时在这几年的量产
中，其良品率已得到很大的提高，达到

90%左右，极大的降低了产品成本。

　　从以上

LTPS 的工艺流程可以看出，其和非晶硅技术的主要区别是增加了激光晶化过

程和离子注入过程，其它的加工工艺基本相同，设备也和非晶硅生产有相通之处。

　　另外，晶化的技术也有很多种，目前小尺寸最常用的是

ELA，其它的晶化技术还有：

SLS、YLA 等，有的公司也在利用其它的技术研发 AMOLED 的 TFT 基板，例如金属诱导晶
化技术，也有相应的样品展出，但这一技术的主要问题是金属会导致膜层间的电压击穿，
漏电流大，器件稳定性无法保证（由于

 AMOLED 器件是特别薄的，各层间加工时保证层

面干净度，防止电压击穿是重要的一项课题）。

　　

LTPS 技术的主要缺陷有如下几点：

　　

●生产工艺比较复杂，使用的 Mask 数量为 6—9 道，初期设备投入成本高。

　　

●受激光晶化工艺的限制，大尺寸化比较困难，目前最大的生产线为 G4.5 代。

　　

●激光晶化造成 Mura 严重，使用在 TV 面板上，会造成视觉上的缺陷。

　　（

3）非晶硅技术（a-Si TFT）

　　非晶硅技术最成功的应用是在液晶生产工艺中，目前的

LCD 厂家，除少数使用 LTPS

技术外，绝大部分使用的是

a-Si 技术。

　　

a-Si 技术在液晶领域成熟度高，其器件结构简单，一般都为 1T1C（1 个 TFT 薄膜晶体

管电路，

1 个存储电容），生产制造使用的 Mask 数量为 4—5，目前也有厂家在研究 3Mask

工艺。

　　另外，采用

a-Si 技术进行 AMOLED 的生产，设备完全可以使用目前液晶 TFT 加工的

原有设备，初期投入成本低。

　　再者，非晶硅技术大尺寸化已完全实现，目前在

LCD 领域已做到 100 寸以上。

　　虽然在

LCD 领域，a-Si 技术为主流，但 OLED 器件是电流驱动方式，a-Si 器件很低的

电子迁移率无法满足这一要求，虽然也有公司（例如加拿大的

IGNIS）在 IC 的设计上进行