则它们有以下关系：

 

图的左边

Uec=Ib*R1+Ueb=Ib*R1

因为

Iec=β*Ib (β 为晶体管的直流放大系数)

所以有

Uec=(Iec/β)*R1

图的右边

Uec=Rec*Iec 由于左右图互相等效所以有

Rec*Iec=(Iec/β)*R1 得 Rec=R1/β
两滤波器的滤波性能一般用

R 与 C 的乘积来衡量,所以有:

R1*C1=Rec*C1'=(R1/β)*C1'
C1=C1'/β
由上式可知

,电子滤波器所需的电容 C1 比一般 RC 滤波器所需电容少 β 倍.打个比方设

晶体管的直流放大系数

β=100,如果用一般 RC 滤波器所需电容容量为 1000μF,如采用

电子滤波器那么电容只需要

10μF 就满足要求了。

  
  
场效应管
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管

,特别是在音响领域更是如此,场效应管与

晶体管不同

,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具

有很高的输入阻抗

, 较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如

图

C-a。

场效应管是一种单极型晶体管

,它只有一个 P-N 结,在零偏压的状态下,它是导通的,如

果在其栅极

(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下 P-N

变厚

(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图 C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽

区将完全沟道

"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图 C-c,此时的反向偏压我们称之

为夹断电压

,用 Vpo 表示,它与栅极电压 Vgs 和漏源电压 Vds 之间可近以表示为

Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是 Vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料加入
之前

,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增

加其输入阻抗

,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场

效应管为绝缘栅型场效应管

,又称 MOS 场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘

栅型场效应管

,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,

它只能工作在反向偏置状态

. 绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在

正常情况下导通的为耗尽型场效应管

, 在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场

效应管特点

:当 Vgs=0 时 Id(漏极电流)=0,只有当 Vgs 增加到某一个值时才开始导通,

有漏极电流产生

.并称开始出现漏极电流时的栅源电压 Vgs 为开启电压. 耗尽型场效应

管的特点

,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非

常高的输入电阻

). 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅

 

增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代替。
可控硅二极管
可控硅在自动控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种

“

有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称 点

”

 

火 使其道通， 一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其
阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。
可控硅二极管可用两个不同极性（

P-N-P 和 N-P-N）晶体管来模拟，如图 G1 所示。当

可控硅的栅极悬空时，

BG1 和 BG2 都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载

电阻

RL，当栅极输入一个正脉冲电压时 BG2 道通，使 BG1 的基极电位下降，BG1 因此