2 结果与分析

　　图

1 是非晶硅薄膜于 850

℃分别退火 2h、3h、6h、8h 的拉曼光谱图。由图 1 可知,在退火温

度不变的情况下

,随着退火时间的延长,非晶硅薄膜的晶化越来越充分,520cm-1 处的晶硅特征

峰非常明显

,晶化效果很好。850

℃退火 2h 的晶化率为 55%,从 520cm-1 处的晶硅特征峰的相

对高度看

,850

℃退火 3h 硅膜结晶的情况相对较好,晶化率为 67%。在退火温度不变的情况下,

随着退火时间的延长

,520cm-1 处的晶硅特征峰相对高度降低,8h 时晶化率为 58%。从图 1 可

以看出

,850

℃退火 3h 时非晶硅薄膜结晶很好,即退火 3h 左右存在一个结晶情况好的极值点。

退火后多晶硅薄膜的结晶度随退火温度的变化如表

1 所示。

图

2 是 非 晶

硅 薄 膜 于
700

℃ 分 别 退 火

5h、7h、10h、13h
的 拉 曼 光 谱 图 。
由 图

2 可 知 , 当

退 火 温 度 为
700

℃ 时 , 随 着 退

火 时 间 的 延 长

,

晶 化 率 的 计 算 值
都 在

52% 以 上 ,

结 晶 效 果 比 较 好 。
在 拉 曼 谱 线 其 它
相同的情况下

,在 520cm-1 处的晶硅特征峰越来越高,表明非晶硅薄膜晶化越来越充分,晶粒

越来越大

,薄膜晶化也越来越好。可见,退火温度在极值点以下一定值时,可以通过延长退火时

间达到退火目的。实验表明

,退火温度与退火时间是相互关联的。

　 　 图

3 是 非 晶

硅 薄 膜 于

900

℃

分

别

退

火

1h、3h、8h 的拉
曼光谱图。由图
3 可 知 , 退 火 温 度
在 中 温 极 值 点
(850

℃) 以 上 的

900

℃ 时 , 在 退 火

温 度 不 变 的 情 况
下

, 随 着 退 火 时