证实，在

AAO 膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜 。

AAO 的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。本研究
中用的

AAO 膜的厚度为 500nm。

　　图

2 是 Ag 纳米点的 SEM 图像，其相应的淀积 Ag 厚度为 20nm。由于阴影效应，Ag 纳

米点直径稍小于

AAO 膜的纳米点直径。根据测出的 Ag 纳米点直径，平均直径约 70nm。玻

璃衬底上

Ag 纳米点的吸收谱示于图 3。Ag 纳米点的表面等离子共振(SPR)效应可以用 SPR

波长确定，它与谱图的主峰相应。如图

3 所示，Ag 纳米点 SPR 波长峰值在 454nm 处。与淀

积在玻璃衬底上无

Ag 纳米点的 a-Si:H 膜比较(见图 3)，在 Ag 图形化衬底上的 a-Si:H 膜在

较长的波长

(>600nm)上有更高的光吸收。尽管有些光吸收可能来自金属纳米微粒本身，我们

认为

Ag 纳米点是有效地增强了 a-Si:H 膜的光吸收。吸收的增强可能与 Ag 纳米结构的等离

子体增强光散射有关。入射光以

a-Si:H 光活性层的陷波波导模式被共振散射，通过衬底上

Ag 纳米点与表面等离子体的相互作用，显著增加了光在 a-Si:H 层中的光学路径。