Changzhou GCL Photovoltaic Technology Co,Ltd 

  

                                                      

          

常州协鑫光伏科技有限公司

             （3）部分不规则区域密集线痕和硅块头部区域密布线痕。

  改善方法：（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足引起，包括 SIC 颗粒度太

小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等；硅片出线口端半片面积密集线痕。原

因为砂浆切割能力不够。

             （2）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机 台内砂浆循环系统问题，如砂浆

喷嘴堵塞。砂浆内含杂质过多，没有经过充分过滤。规范砂浆配制、更换，延长切

片的热机时间和次数。

 （3）部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度 不均匀，部分区域硬度过高。改

善铸锭工艺解决

 此问题。硅块头部区域密布线痕。砂浆流量不均匀。

4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与

托板不能完全夹紧以及托板螺丝松动，而产生的线痕。

         改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。

5、边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。

          表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿整片硅片。

          改善方法：规范粘胶操作，加强检查和监督。

6、 其他线痕：（1）工作台的不稳定性会导致大量 TTV、线痕的产生。

                  形式：工作太液压松动，进给异常等

              （2）设备中途停机再次切割产生。