状态，沉积速率也相对较低。因此，对于每一个电极间距，都存在一个最优的硅烷浓度点，
使得沉积速率最高。在此硅烷浓度下，沉积速率取得极值。由图

1 可见，最优硅烷浓度随电

极间距增大线性减小。根据这一规律可以快速得到最优硅烷浓度值。这里需要说明的是我们
采用的是平板电极结构。

图

1 不同电极

间距下，微晶
硅材料沉积速
率和最优硅烷
浓度间关系曲

线

　 　 尽 管
15mm  电 极 间
距 下 获 得 了 沉
积

速

率

1.8nm/s 以 上
的 微 晶 硅 材 料 ，
但是考虑到材料的光敏性较低和辉光稳定性的问题，我们选用

12mm 电极间距下获得沉积

速率

1.6nm/s 的微晶硅材料用于制备微晶硅电池。

　　通过对衬底

ZnO 进行腐蚀，获得具有强光散射能力的表面拓扑结构，在电池内部形成

陷光结构。为此，我们首先研究不同稀盐酸腐蚀时间造成的电池本征层收集水平的变化，这
可以通过测试电池的外量子效率曲线进行表征。
　　图

 2 示出的是硅烷浓度（SC）为 6.3%的不同腐蚀时间的外量子效率（EQE）的曲线。

由图

2 可观察到随腐蚀时间的增加，电池的响应强度逐渐增加。没有腐蚀的衬底其量子效率

曲线在整个波段范围内有多个波峰波谷，这与衬底表面的平整度有关。入射光通过在均方根
粗糙度（

RMS）较小的表面上时，主要以相干光的形式透射，在电池内部发生干涉，故而

造成量子效率曲线的波动。而随腐蚀时间逐渐延长到

15s 和 25s 时，量子效率曲线不再波动。

当腐蚀

15s 时，QE 曲线的长波段响应明显增强；随着腐蚀时间进一步增加到 25s，短波段

的量子效率响应也得到进一步的提升。

图

 2 硅烷浓度

为

6.3%时，对

应不同腐蚀时间

的

ZnO 衬底上，

电池的

QE 曲线

　　这是由于腐
蚀 造 成

ZnO  表

面形貌的变化。
其 使

ZnO  表 面

具有强光散射能
力的拓扑结构，
故而入射光在从
TCO  透 射 后 ，
以不同的角度入射进入本征层，故而增大了光在电池中的有效光程，从而使得本征层的吸