(d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)   

。

SiO2 膜很薄时，看不到干涉色，但

 

可利用

Si 

 

的疏水性和

SiO2 

 

的亲水性来判断

SiO2 膜是否存在。也可用干涉膜

计或椭圆仪等测出。

SiO2   

和

Si 

 

界面能级密度和固定电荷密度可由

MOS 二极管的电容特性求得。 

(100) 

 

面的

Si 

 

的界面能级密度最低，约为

10E+10 --  10E+11/cm  – 

2 .e V -1  

 

数量级。

(100) 面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大

小成为左右阈值的主要因素。

  

3) CVD(Chemical Vapor deposition) 

 

法沉积一层

Si3N4(Hot CVD 或 

LPCVD)   

。

 

  

1  

 

常压

CVD (Normal Pressure CVD)

    NPCVD 

 

为最简单的

CVD 

 

法，使用于各种领域中。其一般装置是由

(1) 输送

 

反应气体至反应炉的载气体精密装置；

(2) 使反应气体原料气化的反应气体气

 

化室；

(3) 

 

反应炉；

(4) 反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应

炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，
故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为
纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多
数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装
置。

  

2  

 

低压

CVD (Low Pressure CVD)

      

 

此方法是以常压

CVD  为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的

 

方法。主要特征：

(1) 

 

由于反应室内压力减少至

10-1000Pa 而反应气体，载气

体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大

 

为改善。反应气体的消耗亦可减少；

(2) 反应室成扩散炉型，温度控制最为简便

 

且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力

( 因低气压下，基板

 

容易均匀加热

) ，因基可大量装荷而改善其生产性。

  

3    

热

CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)

    

 

此方法生产性高，梯状敷层性佳

( 不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反