图

2: PCB 面积的缩减

　　允许开关频率提高到

1MHz 或者更高，但仍要采用高输入电压（如 12V），这就需要

一款新的专利型模块架构，产生极小的导通时间脉冲。例如，将输出功率从

12V 转换至 1V

的

1MHz 设计，要求具有 83ns 的脉冲宽度，这样就可以容许极小的抖动。在这些条件下，

标准的

PWM 机制通常会产生 30~40ns 的抖动，对于这些应用而言，这样的抖动时间是没

有意义的。

IR3847 内的 PWM 调制电路仅产生 4ns 的抖动，与标准解决方案（图 3）相比，

缩减了

90%.这就实现了双赢，即将输出电压纹波降低约 30%的同时，允许 1MHz 或更高的

频率

/更高宽度的操作，实现了更小的尺寸、更好的瞬态响应并采用了更少量的输出电容。

　　

　　图

3: 抖动比较

　　新器件集成了

IR 公司最新一代的功率 MOSFET,从而为具有 15A~25A 的应用取得市场

领先的电子性能，其峰值效率高于

96%.为了达到市场领先的散热性能，例如，在提供 25A

的电流时，温度仅仅上升

50°C 的低值，采用了公司独有的封装（图 4）。同步 MOSFET 转

换到

“源极在下”配置，同时控制 MOSFET 却保持着传统的“漏极在下”配置。大多数的热量

是在同步

MOSFET 源中产生的，并且立即传导出封装，并降至底平面，而不是像竞争解决

方案那样，是要经过硅芯片。这就有助于从控制

MOSFET 中传热同时降低 MOSFET 间开关

结点之间连接的电阻。