通常简化假定其温度取决于下列几个主要因素：日照强度

L、环境温度 T，以及内

阻产生的温升

Ti，组件温度(阵列温度)T 可近似地按下式计算：

　　

 
　　式中：死为

L=0，Ts=0，Ti=0 时阵列的温度;

　　

To、a1、a2 为根据实验数据按最小二乘法处理后所得的系数，与所使用的太阳电池

的类型、安装地点、支架形式等因素都有关系。

　　由式

(1)可见，当光伏阵列中太阳电池被云、树叶或其它物体遮挡时，由于光照的

变化，其温度将明显不同于阵列中那些未被遮挡的部分。同样，当光伏电池处于开路、短路
或典型负载等不同工作状态时，由于流过的电流和内阻均有变化，其温度亦有所不同。当太
阳电池组件中部分电池损坏时，其温度差异将更加明显。

热斑与暗电流的关系
　　由于一个太阳电池组件一般包含

36 或 72 块太阳电池硅片，不同的硅片的暗电流

是不一样的，由图

2 所示太阳电池简略示意图可分析如下。