多晶硅铸锭炉加热
器的要求：加热超过
1650
℃;使用材料不能与硅料发生反应;可以在真空及惰性气体中长期
使用。对于加热器的材料而言，目前行业中主要使用高纯石墨作为加热材料，主要使用单电
源对石墨加热器进行加热。
使用双电源加热器带来的好处：改善铸锭硅块的晶向结构
;增大晶粒的体积同时减少晶
界
;改善结晶平面，可以灵活控制长晶界面的形状，长晶速度更加平稳，解决了硅锭生长后
期速度过慢的问题。
1.2 铸锭炉冷却模式改进
硅的结晶速度取决于其底部石墨块的降温速度，较好的结晶速度会产生稳定的分凝速
度，保证杂质的均匀析出，是生长高效多晶硅块的必经之路。目前行业中的冷却主要包括隔
热笼的提升、隔热板的下降、底部水冷三种模式。
气冷技术与目前现有相比拥有自己独特的优势，将先前依靠移动隔热笼的被动
DS 块
辐射降温的弱控制模式改为
DS 块底部主动气体降温的强控制模式，使得晶体生长可控性
更强。通过中空的
DS 块、气体冷却器、泵组、变频器等组成可控气体流量的闭合气路，以流
动气体对
DS 块进行直接冷却，并通过 DS 台上的温度反馈调节泵组电机速度来控制冷却气
体流量，从而实现精确的
DS 台温度控制。
具有气体温度、流量流量范围宽，调节精度高，且功耗低等优点。从而使硅锭生长的界
面更加平稳，提高电池的转化效率。
2、铸锭工艺的优化
通过对热场温度的优化以及晶粒的细化，使晶体在初期的成核得到控制，在结晶过程
中具有稳定的结晶速度和过冷度，从而提高了硅晶体的少子寿命，降低了硅晶体的内部缺
陷，提高了多晶硅电池效率。
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