流越大。电池单元镶嵌

在无框架的玻璃上，漏电流较小；非晶电池单元裱好在无暇的金属贴箔上，漏电流会比较

大。

 

② 逆变器拓扑及其工作模式。逆变器及其工作模式造成电池对地电位波动幅值越大、频

率越高，漏电流越大。

当然，外部条件也会影响漏电流，相对湿度比较大的地方会对漏电流比较大。

A. 漏电流对薄膜电池性能的影响

  Fig.13 非晶硅、CdTe 薄膜电池结构

Fig.13 为非晶硅、CdTe 薄膜电池结构，从上到下的顺序依次为：

Class → TCO（SnO2:F）→ Active PV Layers→ EVA → class backsheet

对于

CIS 薄膜电池，具体的结构顺序无从查证，从 Fig.7 来理解，从上到下的顺序依次

可能为：

class superstrate→ EVA→ Active PV Layers→ Mo → class    ？？？

由于

CIS 薄膜电池的工艺及材料都与非晶硅、CdTe 薄膜电池不同，故从非晶硅、CdTe

薄膜电池得到的实验结果不能简单套用，关于它受漏电流影响而出现的现象仍无从得知，

相关文献都没有给出结论。

这里重点探讨非晶硅、

CdTe 薄膜电池的情况，与单晶硅太阳能电池相比，薄膜电池在

光伏单元前表面与

class 之间用 SnO2 代替了电气绝缘的 EVA，致使光伏单元的上表面与外

间无法保证电气绝缘，故漏电流很容易的从

class 表面或 module 边缘进入半导体层，从而

引起腐蚀。

在这方面

JPL 进行了大量的研究，发现在相对潮湿的环境下最容易发生腐蚀，腐蚀的

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