本文分别从光学损失和电学损失两方面分析和讨论了可能影响封装损失的因素，得到
了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功
率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（
LID）导致的组件输出功率下降等问题。
封装损失 的分析 常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图一所示，自上而下的
顺序分别是钢化玻璃
-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将
电池片通过涂锡焊带连接；组件层压封装好后，再组装上接线盒、边缘密封胶和边框。因此，
造成组件封装损失的可能因素无外乎是太阳电池和组件的封装材料。
我们把封装损失的原因按照属性不同分为两大类：光学损失、电学损失。下面详细讨论
这两类中的各种影响因素。
光学损失
从理论上讲，单结硅系太阳电池不能将所有光线都吸收转换成电能，地面用硅太阳电
池的光谱响应范围一般为
300nm-1100nm，因此，任何使这一波段的光进入电池减少的因素
都会造成光学上的损失，可以从光的透射和反射两方面进行分析。
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