国内高频变换中小功率逆变电源存在问题分析 
   
   
   １．可靠性 
   
   
    目前，高频变换中小功率逆变电源存在的问题主要是可靠性不高。我们多年的研究、生
产及使用说明：影响高频变换中小功率逆变电源寿命的主要因素有电解电容器、光电耦
合器及磁性材料。

 

实践证明：追求寿命的延长要从设计方面着手，而不是依赖于使用方。降低器件的结温，
减少器件的电应力，降低运行电流及采用优质的磁性材料等措施可大大提高其可靠性。
国内之所以有人对高频变换逆变电源的可靠性产生怀疑，一个重要的原因是一些厂家为
了降低成本而仍使用７０年代研制的第一代磁性材料，如ＴＤＫ的Ｈ３５、ＦＤＫ的Ｈ
４５等，由于这种磁性材料的饱和磁通密度及居里温度点较低，因而在功率较大时长时
间使用极易出故障。我们使用８０年代中后期研制的第三代磁性材料，如ＴＤＫ的Ｈ７
Ｃ４、ＦＤＫ的Ｈ６３Ｂ和Ｈ４５Ｃ、西门子的Ｎ４７和Ｎ６７，不但能有效地提高转换
效率，而且大大提高了逆变电源可靠性。事实上，彩电及计算机中使用的开关电源也证
明了高频变换方式的可靠性。用户的长时间使用也证明了我们目前生产的高频变换中小
功率逆变电源具有高的可靠性和效率，完全可与ＭＡＳＴＥＲＶＯＬＴ等大公司的产品
相媲美。

   ２．效率 
   
   
   要提高逆变电源的效率，就必须减小其损耗。逆变电源中的损耗通常可分为两类：导
通损耗和开关损耗。导通损耗是由于器件具有一定的导通电阻Ｒｄｓ，因此当有电流流
过时将会产生一定的功耗，损耗功率Ｐｃ由下式计算：Ｐｃ＝Ｉ２

×Ｒｄｓ。在器件开通

和关断过程中，器件不仅流过较大的电流，而且还承受较高的电压，因此器件也将产生
较大的损耗，这种损耗称为开关损耗。开关损耗可分为开通损耗、关断损耗和电容放电损
耗。

 

   
   
开通损耗

 

 Ｐｏｎ＝１

/２　×Ｉｐ×Ｖｐ×ｔｓ×ｆ  



关断损耗

 

 Ｐｏｆｆ＝１

/２×Ｉｐ×Ｖｐ×ｔｓ×ｆ  



电容放电损耗

 

 Ｐｃｄ＝（１

/２）×Ｃｄｓ×Ｖｃ２×ｆ  



总的开关损耗

 

 Ｐｃｆ＝Ｉｐ

×Ｖｐ×ｔｓ×ｆ＋１/２　×Ｃｄｓ×Ｖｃ２×ｆ。 

式中：Ｉｐ为器件开关过程中流过的电流最大值；

 

Ｖｐ为器件开关过程中承受的电压最大值；

 

ｔｓ为开通关断时间；

 

ｆ为工作频率；

 

Ｃｄｓ为功率ＭＯＳＦＥＴ的漏源寄生电容。