Microsemi 公司推出了十几款支持 600V 和 1200V 电压的专用 IGBT。该公司的 IGBT

产品支持硬开关和软开关。这些

IGBT 主要瞄准的是焊接设备、电感加热器以及电信和医

疗电子等应用。

Microsemi 公司的 DL 系列提供了超软的恢复二极管，能够减少电磁干扰，

减少传导功率损耗，减少或取消原来需要使用的缓冲器。

Microsemi 的 Power MOS8

IGBT 支持 600V 和 900V 的电压，针对工业设备、电池充电器和太阳能逆变器等应用提
供了穿通技术。

　　最新的场截止沟道技术

　　飞兆半导体公司研究了各种适用于不同应用的

IGBT 技术。例如，他们推出的场截

止沟道式（

F i e l d S t o pTrench）IGBT 采用了最新的场截止结构和沟道栅单元设计，

具有高速开关和低饱和电压的特点。支持

600V 和 1200V 电压的这类晶体管适用于不间

断电源、太阳能逆变器以及微波炉和感应加热类的应用。它们能够帮助电子设计人员减少
传导损耗和开关损耗，实现极高的效率。飞兆半导体公司所有独特的

IGBT 技术都经过

了专门的优化，能够减少漂移电阻，沟道栅结构消除了器件中

MOSFET 部分的寄生

JFET 电阻。与传统的 NPT 沟道 IGBT 器件相比，飞兆半导体的 FGA20N120FTD 可减小
25%的传导
损耗、

8%的

开关损耗。