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一

览

职

业

  -2- 

未

来

动

力

统中，减小

di/dt 的唯一方法就

是在栅极插入一个电阻器以减缓开关速度。这样做会大大增加开关损耗，降低系统效率，并
且需要加大散热器的尺寸。在这样的系统中，需要权衡

EMI 滤波器和散热器的尺寸。

AUIR3330S 针对输出采用专有 di/dt 控制，以减少电池板的传导辐射。这种主动 di/dt 控制
实现了

EMI 及开关损耗性能方面的优化，不必再受制于 EMI 滤波器和散热器的尺寸权衡。这

一特征的实现需要在

MOSFET 中形成特定的栅极，使用分立元件是无法实现的。对于带有驱

动器的

MOSFET 一般应用而言，开关时间的控制是通过使用栅极电阻控制驱动电流实现的。

此外，

AUIR3330S 提供了一个可以全速范围驱动任何类型电机的解决方案。高集成度使设

计师能够设计一个紧凑的解决方案。只需利用很少的外部组件，就可快速实现全速范围设计。

主动

di/dt 控制

接通过程中，驱动器会应用大电流以便尽快达到

MOSFET 阈值。电流开始流入 MOSFET 时，

栅电流降低以限制

di/dt。当漏-源电压开始下降时，栅电流升高以限制开关损耗。与电阻器驱

动的

MOSFET 相比，di/dt 阶段开关损耗相同，但是在 dv/dt 阶段开关损耗要低很多。因此，

在相同

EMI 水平下，AUIR3330S 的功耗低得多，只需要一个较小的散热器。主动 di/dt 控制

需要一个复杂的驱动器，能够在开关不同阶段采用不同的栅电流。

AUIR3330S 还包含了用

于检测

di/dt 和 dv/dt

 

阶段的智能电路。