下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 　　

（

8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上复盖一层减反

射膜。制作减反射膜的材料有

MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，

TiO2 ，Ta2O5 等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、

PECVD

 

法或喷涂法等。 　　

（

9）

 

烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 　　

（

10）

 

测试分档：按规定参数规范，测试分类。 　　

由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同 ，

生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于积体电路芯片的制造要求，

这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

 

单晶硅和多晶硅的区别 　　

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格

排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的芯片，则形成单晶硅。如果

这些晶核长成晶面取向不同的芯片，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要

表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。

多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一

般的半导体器件要求硅的纯度六个

9 以上。大型积体电路的要求更高，硅的纯度

必须达到九个

9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个 9 的单晶硅。单晶硅是

 

电子电脑、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 　　

高纯度硅在石英中提取，以单晶硅为例，提炼要经过以下过程：石英砂一

 

冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。