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目的 去除硅片边缘的

N 型区域,将硅片内部的 N 层和 P

 

层隔离 目的:

    

 

开,以达到

PN 结的结构要求。

    

 

原理 :

    

 

 

 

干法刻蚀(等离子刻蚀):等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应, 干法刻蚀(等离子刻蚀): ): 使反应

 

气体激活成活性粒子,这些活性粒子与需要被刻蚀区域 的

Si/SiO2 发生反应,形成挥发性生成物而被去除。

    去边结

    

 

原理 :

    湿法刻蚀(背腐蚀):利用 HF-HNO3

 

 

 

溶液,对硅片背表面和边缘进 湿法刻蚀(背腐蚀): ): 行高速腐

 

蚀,以达到去掉边缘层和消除背面绒面的作用。

Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O SiO2 + 6HF → 

H2SiF6 + 2H2O 

 

 

激光去边: 激光去边:利用激光束的高能量使硅熔化,在硅片背表面划槽, 用来隔断

N 层和 P

层,以达到分离的目的。
    

 

去边的发展方向: 去边的发展方向:

    

 

由于湿法刻蚀的优势比较明显,相对转换效率较高, 由于湿法刻蚀的优势比较明显,相对转换效率较高,因

 

 

此以后 采用湿法刻蚀的厂家将会越来越多。 采用湿法刻蚀的厂家将会越来越多。
    去 PSG

 

(二次清洗)

PSG(二次清洗)

    

 

目的 去除硅片表面的

P-Si 玻璃层(PSG),

 

 

为加镀减反射膜做准备。 目的:

 

原理 :利用

HF 和硅片表面

P-Si 玻璃层反应,并使之络合剥离,以

    

 

达到清洗的目的。

HF + SiO2 → H2SiF6 + H2O

    去 PSG

 

 

发展方向: 发展方向: 发展方向

    

 

 

相对来讲,二次清洗是比较简单的工艺,之后的发展应该会 相对来讲,二次清洗是比较简单的工艺, 如同

RENA

 

 

 

 

的设备一样,集成湿法刻蚀设备,从而缩减流程。 的设备一样, 如同 的设备一样 集成湿法刻蚀设备,从

而缩减流程。
    镀减反射膜(PECVD  

) 镀减反射膜(

PECVD)

    

 

目的 在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜,并对

mc-Si

 

进 目的:

    行体钝化。
    

   

原理 :

PECVD 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电

    

 

离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发 生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。

    直接式 PECVD 直接式

    间接式 PECVD 间接式
    镀减反射膜(PECVD  

) 镀减反射膜(

PECVD)

    

 

板式 板式

PECVD

 

相关介绍 相关介绍

    

 

此系统有三个腔体,分别是进料腔,反应腔(包括预热、沉积 和冷却三部分)和出料腔。各腔体直接有闸门

阀隔开。
    镀减反射膜(PECVD  

) 镀减反射膜(

PECVD)

    PECVD

 

动态演示 动态演示

    印刷和烧结

    

 

目的:在电池上下表面各印上电极图形,经烧结与硅片形成欧姆接 目的

    触。

    

 

 

原理 银浆,铝浆印刷过的硅片,通过烘干有机溶剂完全挥发,膜 原理:

    

 

层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上,可视为金属电极材料层 和硅片接触在一起。当硅片投入烧结炉共烧时,

 

 

金属材料融入 到硅里面,之后又几乎同时冷却形成再结晶层,也就是在金属 和晶体接触界面上生长出一层外延层,

 

如果外延层内杂质成份 相互合适,这就获得了欧姆接触。
    

 

印刷工艺流程: 印刷工艺流程:

    

 → 

 →

 → 

 →

印刷背电极

烘干

印刷背电场

烘干

印刷正面栅线

    

 

烧结工艺流程: 烧结工艺流程:

    

 → 

 →

 → 

 → 

印刷完硅片

烘干

升温

降温共晶

冷却

    印刷和烧结
    

 

烧结完电池片外观 烧结完电池片外观:

    125

 

单晶硅电池 单晶硅电池

    125

 

多晶硅电池 多晶硅电池

    

 

丝网印刷和烧结发展趋势 丝网印刷和烧结发展趋势

    1.栅线高精化,利用高精密网版把细栅线做到 100u

 

 

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2.

 

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处理)
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目的 通过模拟太阳光太阳能电池进行参数测试和分析,将电池片 目的:

    按照一定的要求进行分类。
    

 

 

原理 利用太阳能电池的光谱特性,温度特性,输出特性等,通过 原理: