目的 去除硅片边缘的
N 型区域,将硅片内部的 N 层和 P
层隔离 目的:
开,以达到
PN 结的结构要求。
原理 :
干法刻蚀(等离子刻蚀):等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应, 干法刻蚀(等离子刻蚀): ): 使反应
气体激活成活性粒子,这些活性粒子与需要被刻蚀区域 的
Si/SiO2 发生反应,形成挥发性生成物而被去除。
去边结
原理 :
湿法刻蚀(背腐蚀):利用 HF-HNO3
溶液,对硅片背表面和边缘进 湿法刻蚀(背腐蚀): ): 行高速腐
蚀,以达到去掉边缘层和消除背面绒面的作用。
Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O SiO2 + 6HF →
H2SiF6 + 2H2O
激光去边: 激光去边:利用激光束的高能量使硅熔化,在硅片背表面划槽, 用来隔断
N 层和 P
层,以达到分离的目的。
去边的发展方向: 去边的发展方向:
由于湿法刻蚀的优势比较明显,相对转换效率较高, 由于湿法刻蚀的优势比较明显,相对转换效率较高,因
此以后 采用湿法刻蚀的厂家将会越来越多。 采用湿法刻蚀的厂家将会越来越多。
去 PSG
(二次清洗)
PSG(二次清洗)
目的 去除硅片表面的
P-Si 玻璃层(PSG),
为加镀减反射膜做准备。 目的:
?
原理 :利用
HF 和硅片表面
的
P-Si 玻璃层反应,并使之络合剥离,以
达到清洗的目的。
HF + SiO2 → H2SiF6 + H2O
去 PSG
发展方向: 发展方向: 发展方向
相对来讲,二次清洗是比较简单的工艺,之后的发展应该会 相对来讲,二次清洗是比较简单的工艺, 如同
RENA
的设备一样,集成湿法刻蚀设备,从而缩减流程。 的设备一样, 如同 的设备一样 集成湿法刻蚀设备,从
而缩减流程。
镀减反射膜(PECVD
) 镀减反射膜(
PECVD)
目的 在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜,并对
mc-Si
进 目的:
行体钝化。
原理 :
PECVD 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电
离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发 生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
直接式 PECVD 直接式
间接式 PECVD 间接式
镀减反射膜(PECVD
) 镀减反射膜(
PECVD)
板式 板式
PECVD
相关介绍 相关介绍
此系统有三个腔体,分别是进料腔,反应腔(包括预热、沉积 和冷却三部分)和出料腔。各腔体直接有闸门
阀隔开。
镀减反射膜(PECVD
) 镀减反射膜(
PECVD)
PECVD
动态演示 动态演示
印刷和烧结
目的:在电池上下表面各印上电极图形,经烧结与硅片形成欧姆接 目的
触。
原理 银浆,铝浆印刷过的硅片,通过烘干有机溶剂完全挥发,膜 原理:
层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上,可视为金属电极材料层 和硅片接触在一起。当硅片投入烧结炉共烧时,
金属材料融入 到硅里面,之后又几乎同时冷却形成再结晶层,也就是在金属 和晶体接触界面上生长出一层外延层,
如果外延层内杂质成份 相互合适,这就获得了欧姆接触。
印刷工艺流程: 印刷工艺流程:
→
→
→
→
印刷背电极
烘干
印刷背电场
烘干
印刷正面栅线
烧结工艺流程: 烧结工艺流程:
→
→
→
→
印刷完硅片
烘干
升温
降温共晶
冷却
印刷和烧结
烧结完电池片外观 烧结完电池片外观:
125
单晶硅电池 单晶硅电池
125
多晶硅电池 多晶硅电池
丝网印刷和烧结发展趋势 丝网印刷和烧结发展趋势
1.栅线高精化,利用高精密网版把细栅线做到 100u
以下。 栅线高精化,利用高精密网版把细栅线做到 以
下。 栅线高精化 以下
2.
烧结炉的发展追求 烧结炉的发展追求
RTP
(快速热处理) 烧结炉的发展追求 (快速热
处理)
单片测试和分选
目的 通过模拟太阳光太阳能电池进行参数测试和分析,将电池片 目的:
按照一定的要求进行分类。
原理 利用太阳能电池的光谱特性,温度特性,输出特性等,通过 原理: