影响少子寿命的内容
杂质类型即深能级杂质如金属杂质等等严重影响少子寿命
硅片表面态的状况，即高温处理前硅片的表面状况直接影响少子寿命
杂质浓度对少子寿命的影响，重掺杂状况下会引起晶格的畸变，复合加剧影响少子寿命

1.3

1.3

1.3

1.3

SUN-Voc

SUN-Voc

SUN-Voc

SUN-Voc 检测方法

对电池片的选择要求，

Uoc

Isc

Rs

Rsh

FF

NCell

Lreve2

0.604

7.688

2.22

98.60

78.23

0.1498

2.199

0.609

7.631

2.38

67.61

78.648

0.1497

4.667

串并联正常，漏电较大的电池片

J01，测试前后表面

J02，测试结区

使用厚的滤光片、1 号滤光片和 3 号滤光片；
将机台的两根线接上机台（一根红的，一根蓝的）

，红线接红接口，蓝线接蓝接口.

将电池片的电流密度算出（电流除以电池片面积）

，输入测试软件中.

将待测电池片放在机台上，正面朝上，用测试笔点在主栅线上
点击 Measure 键，然后让软件自己校准
完成后，再点两次 Rasmple，
然后再点击 IV Curve，对曲线进行拟合，
查看 Jo1、Jo2、PFF 和 0.1sun 下的品质因子的数值.

2.1

2.1

2.1

2.1

膜厚折射率检测方法

名称：扫描椭圆偏振光测试仪（SWE 致东光电或 sentech）
仪器包含部分：测试计算机、控制器、测试基台（三种）
对于基台 1，长方形斜面台测试单晶 2，小圆盘 测试多晶 3，大圆盘 测试抛光片
首先激光对点，标记需要测试的部位，选择需要测试的膜对应的文件，
点 Measure，Th 与 n 为所需要的数值（Thick 膜厚与 refractive index 折射率）

测量方法
镀膜后电池片放置于测试台面上，单晶选择 小型圆行测试台面成斜面

多晶选择 圆形台

面水平放置
数值取值 单晶 72—76nm

多晶

80—85nm

对于实际操作中，单晶范围一般在 70—80nm 多晶范围一般在 80—90nm

3.1

3.1

3.1

3.1

D8

D8

D8

D8 反射率测试仪（RADITECH

RADITECH

RADITECH

RADITECH）

名称：D8 积分式反射仪（上海致东光电）
仪器包含部分：计算机、暗箱、测试台、基准片
操作方法：点亮氙灯，启动光谱仪，置入试片，使用软件（D8-4）控制测量。
软件使用：D8-4（CDI）