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号做出相应调整以实现稳压输出。这种方案实现起来较为灵活,可以通过调试针
对本身系统做出配套的优化。但是系统调试比较复杂。

在这里我们选择方案二。

1.3

系统总体框图

1.4

 提高效率的方法及实现方案

1)

Boost 升压斩波电路中开关管的选取:电力晶体管(GTR)耐压高、工

作频率较低、开关损耗大;电力场效应管(

Power MOSFET)开关损耗小、工作

频率较高。从工作频率和降低损耗的角度考虑,选择电力场效应管作为开关管。

2)

选 择 合 适 的 开 关 工 作 频 率 :为降低开关损耗,应尽量降低工作频率;为

避免产生噪声,工作频率不应在音频内。综合考虑后,我们把开关频率设定为
20kHz。

3)

Boost 升压电路中二极管的选取 :开关电源对于二极管的开关速度要求

较高,可从快速恢复二极管和肖特基二极管中加以选择。与快速恢复二极管相比
肖特基二极管具有正向压降很小、恢复时间更短的优点,但反向耐压较低,多用
于低压场合。考虑到降低损耗和低压应用的实际,选择肖特基二极管。

4)

控 制 电 路 及 保 护 电 路 的 措 施 :控制电路采取超低功耗单片机

MSP430,

其工作电流仅

280μA;显示采取低功耗 LCD;控制及保护电路的电源采取了

降低功耗的方式,具体实现见附录图

2,单片机由低功耗稳压芯片 HT7133 单

独供电。

电路设计与参数计算

2.1

 Boost 升压电路器件的选择及参数计算

Boost 升压电路包括驱动电路和 Boost 升压基本电路,如图 2-1 所示。

2

MCU

主控制器

  

  

  

AC

   

  
  

Boost

升压电路

DC

DC

AC 

  
  

DC

  

   

Llp

1000uF

Cout1

Q1
IRF1405

D1

D Schottky

0.087

康铜丝

Rtest1

Uin2

GND

Uo+2

PWM

TEST

PWM

PWMIN

+12V
GND

0.1uF

Clogic2

GND

+12V

VCC

1

COM

4

VB

8

HO

7

VS

6

LO

5

IN

2

SD

3

IR2302S

SD

10uF

Clogic1

+12V

GND

10

RG1

470uF

Cout2

GND

100K

RQ

GND

104CBB

Cout3

104CBB

Cout4

(a)

(b)

1-3    系统总体框图