将晶闸管芯片熔化，有的是大面积熔化，有的是小面积熔化。我们知道单晶硅

的熔点是 1450℃~1550℃，只有超过这个温度才有可能熔化，那么这么高的

温度是怎么产生的呢?

就晶闸管的各项参数而言即使每相参数都超出标准很多也不会产生如此

高的温度，因为温度是由电流、电压、时间三者的乘积决定的，其中某一相超

标是不会产生这么高的温度的，所以瞬时产生的高电压、大电流是不会将芯片

烧坏的，除非是高电压、大电流、长时间才会如此，但这种情况是不可能出现

的，因为晶闸管一经烧毁设备立即就会出现故障，会立即停机，时间不会很长

的，因此烧坏晶闸管芯片的高温决不是电流、电压、时间三者的乘积产生的。

那么到底是怎么产生的呢?

其实无论晶闸管的那个参数造成其烧坏，最终的结果都可以归纳为电压击

穿，就是说晶闸管烧坏的最终原因都是由电压击穿造成的，其表面的烧坏痕迹

也是由电压击穿所引起的，这点我们在晶闸管的应用中也能够证明：在用万用

表测试烧坏的晶闸管时发现其阴极、阳极电阻都非常小，说明其内部短路，到

目前为止基本没发现有阴极、阳极开路的现象，因为芯片是由不同金属构成的，

不同金属的熔点是不一样的，总会有先熔化和后熔化之分，是逐渐熔化。

电压击穿与晶闸管表面烧坏的痕迹的关系

一般情况下应该是铝垫片或银垫片先熔化，然后才是硅片和钼片，而铝垫

片或银垫片也不会小面积熔化，应该是所有有效面积的垫片都会熔化。铝垫片

或银垫片熔化后一是有可能产生隔离层使阴极和阳极开路，二是铝垫片或银垫

片高温熔化后与硅片的接合部有可能材质发生变化，产生绝缘的物质，造成阴