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变化，坩埚上升速度快，保持单晶等直径生长，可以少降温，拉晶速度降低较快，可以不降温甚至可以升温。
单晶炉一般都有温度和单晶等直径控制系统。当单晶进入等直径生长后，调整控制等直径生长的光学系统，
打开电气自动部分，使其单晶炉自动等径拉晶。

3.9 收尾
当熔硅较少后，单晶开始收尾。此时晶体硅生长速度再次加快，同时升高熔体温度，使晶体硅的直径不断

缩小，形成一个圆锥形，最终晶体硅离开液面，收尾完成。

尾部收得好坏对单晶的成品率有很大影响。特别是对于<111>晶向生长的单晶，单晶拉完后，由于热应力

作用，尾部会产生大量位错，沿着单晶向上延伸，延伸的长度约等于单晶尾部的直径，单晶尾部直径大，位
错向上延伸的长，单晶成品率会大大降低，因此尽量缩小单晶尾部的直径。

4、单晶炉常见异常处理方法
（1）熔料时常见异常挂边、搭桥、跳硅
挂边指硅绝大部分熔完后，硅熔体上面坩埚边上粘有硅块的现象。搭桥指塌料后，部分硅块在硅熔体上面

“ ”

相互粘接在一起，形成一座桥。对他们的处理方式是：首先将坩埚位置降至最低，快速升高温度，开启埚
转 2

转。（可通过改变埚转来处理挂边）。一旦挂边和搭桥消失，快速降温，快速升高坩埚，避免产生跳硅。

跳硅指熔硅在坩埚中沸腾现象。厉害的硅跳熔硅跳出坩埚外，飞溅在加热器、保温罩、石墨托碗和单晶炉壁

上，使石墨器件损坏，严重硅跳会烧坏单晶炉底。处理方式为：降低埚位，适当降低温度来控制。为了避免
熔硅时产生硅跳，应仔细挑选多晶硅和石英坩埚，熔硅温度不要太高，一般在 1500℃～1600℃，最好在流动
气氛下熔硅。处理挂边和搭桥时注意及时降温，防止熔硅温度过高产生硅跳。

（2）单晶炉停水

单晶炉在运转过程中，突然发生停水时，主要有两种情况：一是在三分钟内循环水无法通到单晶炉或设

备原因长时间停水，都属于长时间停水。二是三分钟内循环水通到单晶炉内属于短时间停水。

对于长时间停水：
1

）打开应急水。

）关闭加热电源。

3）将坩埚的位置下降 30-40mm

。

）待液面完全结晶后升到最高位置，注意导流筒不要和炉盖相碰。

5）等完全冷却后再拆炉。
对于短时间停水：
1

）打开应急水。

）如有发电系统的，须马上通知发电，保证炉内冷却水循环正常。

3）对于因停水而停电的炉子须马上开启加热电源，对于不能正常运行的炉子，根据晶体的长度取出

或回熔。

）待循环冷却水正常后关闭应急水。

（3）放肩时坩埚边结晶
拉晶放肩时可能在坩埚边产生结晶，不及时处理，结晶会逐渐长大，严重影响单晶生长。产生这种情况主

要是熔硅表面过冷度太大，产生熔硅表面过冷度太大的原因主要是热场纵向梯度小或放肩时降温太大造成的。
增大热场纵向温度梯度，降低拉速，小幅度降温，可以避免放肩时坩埚边结晶。一旦坩埚边出现结晶，要适
当升高温度，降低拉速，使结晶缓慢熔化，结晶熔完后，继续进行正常拉晶。

（4）等径是晶棒扭曲
1) 检查下埚位，要求液面离热屏下沿 20mm。
2

）将等径自动控制关闭，减小拉速，同时，加功率。每 10 分钟加 1KW，共加 5KW。

3）待晶体直径放大 15mm

左右，再缓慢将晶体直径缩小至目标直径。

4）若晶体扭曲状况改变不大，可重复作业一次。
（5

）掉棒

1）将控制面板转为手动。立即停止埚转、晶转。

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