部的受热不均和散热不均可能会导致起包，严重的会起铝珠。

3、背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为 P 型掺杂，它可以减少金属与

硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应。

烧结质量要求
1、最优的电性能参数
2、烧结后的氮化硅表面颜色应该均匀，无明显的色差.
3、电极无断线
4、背场无铝珠
5、电池最大弯曲度不超过 4mm
6、烧结温度的控制
温度过低导致烧结不足即串联电阻过大；
温度过高导致烧穿即并联电阻过小
烧结常见问题
1、弓片
问题分析：较差的铝浆和流程导致产生粗糙表面
问题解决：良好的铝浆和追求更好的更好的工艺流程条件。
2、铝泡
问题分析：没有完全的烧结有时导致有铝泡。
问题解决：试图增加烧结区温度，如果温度的上升并不能解决问题可以独立的进行

顶部和底部的温度设置。

3、断栅
问题分析：在后面两个温区温度过高。
问题解决：降低温度或者提高带速。
4、电极缺失
问题分析：主要是由于印刷厚度，流程，加热不均匀。
问题解决：根据调整烧结温度或印刷参数。
烧结原理
印刷了浆料的硅片经过烘干排焦过程后使浆料中的大部分有机溶剂挥发，膜层收缩

为固状物紧密粘附在硅片上，这时可视为金属电极材料和硅片接触在一起。所谓的烧结过
程是要使电极和硅片本身形成欧姆接触，其原理为当电极里金属材料和半导体单晶硅加
热到共晶温度时,单晶硅原子以一定比例融入到熔融的合金电极材料中.单晶硅原子融入到
电极金属中的整个过程一般只需要几秒钟的时间。融入单晶硅原子数目取决于合金温度和
电极材料的体积，烧结合金温度越高，电极金属材料体积越大，则融入的硅原子数目就
越多，这时的合金状态被称为晶体电极金属的合金系统.如果此时的温度降低,系统开始冷
却形成再结晶层,这时原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来,也就
是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层。如果外延层内含有足够的量的与原先晶体
材料导电类型相同的杂质成分，就获得了用合金法工艺形成的欧姆接触；如果在结晶层
含有足够量的与原先晶体材料导电类型异型的杂质成分就获得了用合金工艺形成的 P-N
结。

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