DT98-2 

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C

bs

电容只在高端器件关断，Vs 被拉到地时才被充电。因此低端器件开通

时间（或高端器件关断时间）应足够长，以保证被高端驱动电路吸收掉的电容
C

bs  

上的电荷被完全补充，因此对低端器件的开通时间（或高端器件的关断时

间）有最小要求。 

 
另外，由于高端器件电路的结构使负载成为充电回路一部分时，负载的阻

抗将直接影响自举电容 C

bs

的充电。如果阻抗太高，电容将不能充分充电，这

时就需要充电泵电路，见 AN978。 

 
 

4. 

 自举二极管的选择 

 
在高端器件开通时，自举二极管必须能够阻止高压，并且应是快恢复二极

管，以减小从自举电容向电源 Vcc 的回馈电荷。如果电容需要长期贮存电荷
时，高温反向漏电流指标也很重要。二极管的额定电流值式（1）和工作频率的
乘积得到。 

其中：二极管特性 
            V

RRM

=功率端电压 

             最大 trr = 100ns

 

           

f

Q

I

bs

F

×

=

 

 

5. 布板方法 

 

自举电容要尽可能靠近 IC 的管脚。如图 2 所示，至少有一个低 ESR 的电

容提供就近耦合。例如：如果使用了铝电解电容做为自举电容，就应再用一个
瓷电电容。如果自举电容是瓷电或钽电容，自己做为就地耦合也就足够了。 

Vcc

Vb

Ho

Vs

C1

C2

R

Dbs

 

图 2. 自举器件的推荐布板方式 

                                             

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