另外由于采样电阻发热比较大，布 PCB 板时尽量让电解电容远离发热元件，远离采样
电阻，防止电解电容过早地干涸，延长电解电容的使用时间。

4 霍尔传感器的选择
    注意 MC33035 中文数据手册中，霍尔传感器的电源供电是利用 MC33035 第 8 脚：
典型电压值为 6．25 V 来供电。所以 6．25 V 必须是所选霍尔传感器的正常供电电压。
5 上、下桥驱动
    如果 MOSFET 管的开关速度慢，将导致能量利用率低，发热量大等不利因素。如何提
高 MOSFET 驱动的高速化性能，由下面原理图和实验波形图具体说明。

    如图 4 所示，MOSFET 上桥高端驱动，由于 MOSFET 分布电容的存在，对 IRF4905

的充放电过程都要经过一个 2 kΩ 电阻。这样就不能在门极-源极之间对电容 Ciss 进行快

速的充放电，不能活用 MOSFET 的高速开关性能。改进方案如图 5 所示，首先采用自举

电路这样既可以确保门极-源极之间的电压在 IRF4905 的承受范围之内，又有利于电压

的稳定。第二采用了推挽电路，利用 NPN／PNP 型晶体管的互补推挽电路，提高门极电

流的驱动能力。充放电 1，2 过程不用经过比较大的电阻，直接加速电容的充电过程。

    下桥的驱动如图 5 所示，比较图 4 可以发现其中增加了一反向二极管和一个加速电容。

串联栅极电阻可以使任何 MOSFET 输入电容和所有栅源电路中的串联引线电感引起的高

频振荡得以衰减，如果进入底部驱动输出的负电流超过 50 mA 则需要二极管。使用附加

电容，图腾柱式输出可以增强晶体管截止提供负基极电流。

MC33039 中 RT／CT 参数的选择

    MC33035 中的 RT／CT 参数用于调整 MC33035 芯片的工作频率，每个振荡周期由