栅电压为零，Qgs=0。Qgd 被充满，Vgd=Vds。

注：由于 Cds 通常和其它杂散电容并联在一起；共同对电源施加影响，因此；这
里暂时不做分析。问题将在后面和杂散参数一起一并讨论。

给 FET 的栅极施加正脉冲。由于 Cgd 在承受正压时，电容量非常小（Cgd 虽然小；
但是 Qgd=Cgd*Ugd，Qgd 仍然是很大的），Cgs 远大于 Cgd。因此；脉冲初期，
驱动脉冲主要为 Cgs 充电，直到 FET 开始开启为止。开启时；FET 的栅电压就是门
槛电压 Vth。

 当 FET 栅电压达到 Vth，FET 开始导电。无论负载在漏极还是在源极，都将因有电
流流过而承受部分或全部电压。这样 FET 将经历由阻断状态时承受全部电压逐渐变
到短路而几乎没有电压降落为止的过程。

这个过程中，Cgd 同步经历了放电过程。放电电流为 I=Qgd/ton。