3 Vp 和 Vt 的正负极性取决于导电沟道类型

结型场效应管和耗尽型

MOSFET 存在夹断电压 Vp，N 沟道 Vp 为负值，P 沟道

为正值

;增强型 MOSFET 存在开启电压 Vt，N 沟道 Vt 为正值，P 沟道为负值。

5 场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路

有何特点

?它有几种偏置方式?

答：

场效应管偏置电路的特点是：

1.场效应管是电压控制器件，因此，放大电路只要求建立合适的偏置电压

V(GS)，不要求偏置电流;

2.不同类型的场效应管，对偏置电压的极性有不同要求如 JFET 必须是反极性偏

置，即

V(GS)与 V(DS)极性相反，增强 MOSFET 的 V(GS)和 V(DS)必须是同极性偏

置，耗尽型

MOSFET 的 V(GS)可正偏、零偏或反偏;

3.场效应管的跨导 gm 都较低，对放大性能不利，因此，必须设置较高的静态工

作点。为了减小静态工作点受温度变化的影响，常采用稳定工作点的电路。

基于上述特点，必须根据不同的场效应管选用不同的偏置电路。在分立元件的场

效应管放大电路中，偏置电路有零偏压、固定偏压、自偏压、混合偏置等形式

;在集成

电路平常采用不同的电流源作为偏置电路。

零偏压电路只适于耗尽型

MOSFET 放大电路;固定偏压适于所有的场效应管放大

电路

;自偏压适于 JFET 和耗尽型 MOSFET 放大电路;混合偏置既包含了固定偏压又包

含了自偏压，适于所有的场效应管放大电路。