（

Ar）、高纯氢（H2）I 层：硅烷（SiH4）、高纯氢（H2）N 层：硅烷（SiH4）、磷烷

（

PH3）、高纯氩（Ar）、高纯氢（H2）

•各种工作气体配比有两种方法：第一种：P 型混合气体，N 型混合气体由国内专业特种气
体厂家配制提供。第二种：

PECVD 系统在线根据工艺要求调节各种气体流量配制。

⑺ 冷却
a-              Si 完成沉积后，将基片装载夹具取出，放入冷却室慢速降温。
⑻ 绿激光刻划 a-Si 膜
根据生产预定的线宽以及与

SnO2 切割线的线间距，用绿激光（波长 532nm）将 a-Si 膜刻

划穿，目的是让背电极（金属铝）通过与前电极（

SnO2 导电膜）相联接，实现整板由若干

个单体电池内部串联而成。
激光刻划时

a-Si 膜朝下刻划要求：

线宽（光斑直经）＜

100um 与 SnO2 刻划线的线距＜100um

直线度线速＞

500mm/S

⑼ 镀铝
镀铝的目的是形成电池的背电极，它既是各单体电池的负极，又是各子电池串联的导电通
道，它还能反射透过

a-Si 膜层的部分光线，以增加太阳能电池对光的吸收。

•镀铝有 2 种方法：一是蒸发镀铝：工艺简单，设备投入小，运行成本低，但膜层均匀性差，
牢固度不好，掩膜效果难保证，操作多耗人工，仅适用小面积镀铝。二是磁控溅射镀铝：膜
层均匀性好，牢固，质量保证，适应小面积镀铝，更适应大面积镀铝，但设备投资大，运
行成本稍高。
•每节电池铝膜分隔有 2 种方法：一是掩膜法：仅适用于小面积蒸发镀铝二是绿激光刻划法：
既适用于磁控溅射镀铝，也适用于蒸发镀铝。
⑽ 绿激光刻铝
（掩膜蒸发镀铝，没有该工序）对于蒸发镀铝，以及磁控镀铝要根据预定的线宽以及与

a-

Si 切割线的线间距，用绿激光（波长 532nm）将铝膜刻划成相互独立的部分，目的是将整
个铝膜分成若干个单体电池的背电极，进而实现整板若干个电池的内部串联。
•激光刻划时铝膜朝下
•刻划要求：线宽（光斑直经）＜100um 与 a-Si 刻划线的线距＜100um
直线度线速＞

500mm/S

⑾IV 测试：
通过上述各道工序，非晶硅电池芯板已形成，需进行

IV 测试，以获得电池板的各个性能参

数，通过对各参数的分析，来判断莫道工序是否出现问题，便于提高电池的质量。
⑿ 热老化：
将经

IV 测试合格的电池芯板置于热老化炉内，进行 110

℃/12h 热老化，热老化的目的是使

铝膜与非晶硅层结合得更加紧密，减小串联电阻，消除由于工作温度高所引起的电性能热
衰减现象。
三、

                 非晶硅电池封装工艺

薄膜非晶硅电池的封装方法多种多样，如何选择，是要根据其使用的区域，场合和具体要
求而确定。不同的封装方法，其封装材料、制造工艺是不同的，相应的制造成本和售价也不
同。下面介绍目前几种封装方法：
1、            电池/UV 光固胶
适用：电池芯板储存制造工艺流程：电池芯板

→覆涂 UV 胶→紫外光固→分类储存

2、            电池/PVC 膜
适用：小型太阳能应用产品，且应用产品上有对太阳能电池板进行密封保护，如风帽、收音