图

2  MWT 电池及其结构

MWT 电池的制作流程大致为：
激光打孔

→清洗制绒→发射极扩散(包括孔内) →去 PSG →沉积 SiN →印刷正面电极→印

刷背面电极

→印刷背电场→烧结→激光隔绝→测试分选

工艺中的难点包括：激光打孔和划槽隔绝的对准以及重复性、孔的的大小及形状的控制、

激光对硅衬底造成的损伤及孔内金属的填充等。

（

3）EWT 电池

与

MWT 电池不同的是，在发射极环绕穿通（EWT）器件（如图 3 所示）中，传递功

率的栅线也被转移至背面，使得上表面完全没有金属。与

MWT 电池类似，EWT 电池也是

通过在电池上钻微型通孔来连接上、下表面。相比较于

MMT 的每块硅片钻约 200 个通孔，

EWT 要求每块硅片上大约有 2 万个这种通孔，故激光钻孔成为唯一可满足商业规模速度的
工艺。

 

  

图

3(a)  EWT 电池基本结构

   与 IBC 电池相似，EWT 电池由于正面没有栅线和电极，使模组装配更为简便，同时由于
避免了遮光损失且实现了双面收集载流子，使光生电流有了大幅度的提高。但相对光生电流
而言，

EWT 电池填充因子和光生电压仍需进一步提高。

用于工业化大面积（大于

10

×10cm

2

）硅片的

EWT 电池工艺多采用丝网印刷和激光技

术，并对硅片质量具有一定的要求，这为

EWT 电池工艺技术提出了诸多要求，比如无损

伤激光切割的实现、丝网印刷对电极形状的限制、孔内金属的填充深度以及发射极串联电阻
的优化（发射极串联电阻受硅片厚度、发射极体电阻和孔洞直径的影响）等。

EWT 电池的主要工艺流程如图 3(b)所示

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