通常热量从结点至散热器是通过传导方式进行的，从散热器至环境是通过传导和对流方
式。

Rth(jc)是由器件决定的,所以对一个系统，如果 MOSFET 已确定，为了获得较小的热阻

我们可以选择较好的热传导材料并且将

MOSFET 很好地安装在散热器上。 

    5. 稳态温升的计算 

    从 AOT430 的数据手册我们可以获得如下参数： 

    Tjmax=175

 

℃ Rth(jc)max = 0.56 ℃/W 

    5.1 电机运行时 MOSFET 结点至其表面的温升计算(因为电机在运行时，上管和下管只有
三分之一的时间工作，所以平均功率应除以

3)： 

    5.2 电机堵转时 MOSFET 结点至其表面的温升计算 

    5.2.1 B 相上管结点至功率管表面的稳态温升 

    Tjc=Tj-Tc=Phs×Rth(jc)=16.35×0.56=9.2

 

℃

    5.2.2 B 相下管结点至功率管表面的稳态温升 

    Tjc=Tj-Tc=Pls×Rth(jc)=16.5×0.56=9.24

 

℃

    5.2.3 C 相下管结点至功率管表面的稳态温升 

    Tjc=Tj-Tc=PLS(Cphase)×Rth(jc)=24×0.56=13.44

 

℃

    由以上计算可知，在电机堵转时控制器中一直导通的 MOSFET（下管）的温升最大，在
设计时应重点考虑电机堵转时的

MOSFET 温升。 

    6. 选择合适的导热材料 

    6.1 导热材料为 SilPad-400，压力为 200psi 时，其热阻 Rth(ch)为 4.64 

℃/W。 

    则：Tch=Tc-Th= PLS×Rth(ch)=24×4.64=111

 

℃

    6.2 导热材料为 SilPad-900S，压力为 200psi 时，其热阻 Rth(ch)为 2.25

℃/W。 

    则：Tch=Tc-Th= PLS×Rth(ch)=24×2.25=54

 

℃

    可见，不同的导热材料对温升的影响很大，为了降低 MOSFET 的结点温升，我们可以选
择较好的热传导材料来获得较好的热传导性能，从而达到我们的设计目标。

 

    为了使控制器更加可靠，通常我们将 MOSFET 表面温度控制在 100

℃以下，这是因为在