流提高。

    [2]化学刻槽

       应用掩膜（Si3N4 或 SiO2）各向同性腐蚀，腐蚀液可为酸性腐蚀液，也可为

浓度较高的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，该方法无法形成各向异性腐蚀所形成的那种

尖锥状结构。据报道，该方法所形成的绒面对

700～1030 微米光谱范围有明显的

减反射作用。但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特

别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在

225cm2 的多晶硅上所

作电池的转换效率达到

16.4%。掩膜层也可用丝网印刷的方法形成。

    [3]反应离子腐蚀（RIE）

       该方法为一种无掩膜腐蚀工艺，所形成的绒面反射率特别低，在 450～1000

微米光谱范围的反射率可小于

2％。仅从光学的角度来看，是一种理想的方法，但

存在的问题是硅表面损伤严重，电池的开路电压和填充因子出现下降。

    [4]制作减反射膜层

       对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀 ZnS/MgF2 双层减反射膜，

其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是

绒面，减反射工艺也有蒸镀

Ta2O5, PECVD 沉积 Si3N3 等。ZnO 导电膜也可作

为减反材料。

2.2 金属化技术

      在高效电池的制作中，金属化电极必须与电池的设计参数，如表面掺杂浓度、

PN 结深，金属材料相匹配。实验室电池一般面积比较小（面积小于 4cm2），所

以需要细金属栅线（小于

10 微米），一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电子

镀。工业化大生产中也使用电镀工艺，但蒸发和光刻结合使用时，不属于低成本工

艺技术。