该反应为平衡反应，为提高 HSiCl3 收率，优选在有 HCl 存在下进行，

n(HCl)/n(SiCl4)＝0.5-1。原料 Si 采用冶金级产品，通过预活化除去表面的氧

化物后，可进一步提高

HSiCl3 的收率。

    反应器采用流化床，为减少其磨损和腐蚀，其内部可用 Cr 质量分数

≥5% 、Fe 质量分数<4%、其他元素质量分数在 0-10%的 Ni－Cr－Mo 合金制

成，典型的牌号有

Inconel® 617，Inconel® 65，Alloy® 59，Alloy® 

T21 等。通过在反应器中设置一系列水平挡板，可促进气体的再分布，加强气－

固接触，使

HSiCl3 收率增加 5%-8%。此外，该挡板还有助于减缓反应器的磨

损和腐蚀，有利于延长反应器的寿命。通常利用外部供热装置向反应器内部供热

若采用频率

1 000-1 500MHz 的微波加热，可在不使用催化剂条件下，降低

能耗并提高

HSiCl3 的收率。

    Leslaw 等研究发现，通过控制 HCl 气体的保留时间为 SiCl4 保留时间的

0.1%-50%，可在不加催化剂的条件下提高 HSiCl3 的收率，同时减少 SiCl4

的循环量。控制保留时间的方法有

2 种：1)使 SiCl4 和 H2 的混合气体从反应室

下方的分布器加入，

HCl 气体从反应室上方的供气装置引入，通过调节气体的

流量实现；

2)使 HCl 气体从反应器上方的固体旋风分离器高速引入，速度为保

持粒子不产生流态化的最大流速的

1.5-5 倍。该法可使 HSiCl3 总收率提高到

11.4%。

    在用上述方法生产 HSiCl3 时遇到的最大问题是催化剂的夹带流失和催化剂

与

Si 粒子发生结块破坏流态化。

    Andreas 等采用使 Si 粒子与催化剂在有碳化钨涂层的齿板粉碎机中混合的

方法来解决上述问题。还可使用如下方法，使用平均粒径

100-600μm 的 Si 粒

子，且满足催化剂平均粒径为

Si 粒子平均粒径的 1/100-1/30，反应前使 Si 与

催化剂在一个混合器中充分混合。为防止

Si 粒子表面形成氧化层，混合在 N2 保

护下进行，温度优选

130-350℃。该方法不仅可改善催化剂与 Si 粒子的表面粘

附，还可除去反应物中附带的水分。

    Andreas 等还报道了用表面均匀分布硅化铁或硅化铜的 Si 粒子作原料，与

SiCl4，H2 和 HCl 反应来制备 HSiCl3 的工艺，这种复合 Si 粒子的制备方法有

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