资料来源：
「

PV Status 

Report」图

3-1-2-2、日
本太阳电池
技术发展规

划

    目前许
多国际大厂
之单晶硅太
阳电池效率
已经有
17%以上的
量产技术，
多晶硅太阳
电池目前的
水平约在
16%左右，
国内厂商与
国际大厂技术也趋于接近。由于太阳电池生产大都是使用

p-型硅芯片，制程上一般都使用硅芯片表面蚀刻、p/n 接面

扩散、表面抗反射层镀膜

(Anti-reflection Coating)、网印制作金属电极等制程，但各公司仍积极开发其不同之方法以提

升效率，其中以

Selective Emitter、HIT、LBSF(Local Back Surface Field)、Back Contact 等结构引人注目。且尝试将这些

技术用于多晶硅上以提高多晶硅电池效率，而从发展高效率太阳电池来看，高质量的芯片

(如 FZ 芯片)的需求也将

是必须的。目前一些大公司积极投入新技术的开发，主要发展方向为：（一）硅芯片质量提升与厚度变薄，（二）
效率提升与成本降低。