示意图
      多丝切割技术是近年来崛起的一项新型硅片切割技术，它通过金属丝带动碳化硅研磨料
进行研磨加工来切割硅片（图

1.3b）。和传统的内圆切割相比，多丝切割具有切割效率高、

材料损耗小、成本降低

(日进 NWS6X2 型 6” 多丝切割加工 07 年较内圆切割每片省 15 元)、硅

片表面质量高、可切割大尺寸材料、方便后续加工等特点

(见表 1.1)。

特点

多丝切割

内圆切割

切割方法

研磨

磨削

硅片表面特征

丝痕

断裂&碎片

破坏深度(um)

5--15

20--30

生产效率（cm2/hr） 110--200

10--30

每次加工硅片数

200--400

1

刀损(um)

180--210

300--500

硅片最小厚度(um)

200

350

可加工硅碇直径(mm)>300

Max 200

表

1.1：内圆切割与多丝切割的对比

2  切割技术的发展趋势：
      作为一种先进的切割技术，多丝切割已经逐渐取代传统的内圆切割成为目前硅片切片加
工的主要切割方式，目前，瑞士

HCT 公司，Meyert Burger 公司，日本 Takatori（高鸟）等

少数著名制造厂商先后掌握了该项关键技术，并推出了相应的多丝切割机床产品，尤其是
大尺寸的切割设备。

图

1.4 ： 线 锯

切 割 断 面 的 几
何参数
在 上 游 原 材 料
加 工 产 能 受 限
的 今 天 ， 一 方
面 由 于 多 丝 切
割 的 刀 损 （ 图
1.4）在材料加工损耗中占有较大的比例（有时可达到 50%以上），且材料的切屑粒微小、
共存于研磨液中，造成切割效率下降。另一方面由于将研磨粒与其分离成本较高，实施较难。
故减小晶片的厚度（提高单位材料的产出率），减小切割的刀损（提高原材料的利用率）
提高磨粒的利用率（降低加工成本），已成为迫切的要求。

EPIA 国际委员会统计分析后给

出的预言指出，未来的

15 年内，晶片的厚度和切割丝直径将减少一半（表 1.2）。

表

1.2

：

 

EPIA 国 际
委 员 会 统 计
分 析 后 给 出
的预言
如 以 目 前 用
的切割丝直径

d 分析

（设刀损为

2*d，硅