间的延长

,在 520cm-1 处的晶硅特征峰相对高度降低。从图 3 可以看出,900

℃退火 1h 非晶硅

薄膜结晶较好

,晶化率为 61%;退火时间延长到 3h,其晶化率为 56%;退火时间延长到 8h,其晶

化率为

64%。520cm-1 处的晶硅特征峰没有明显的变化,可见 900

℃退火 1h 后,延长退火时间

并不能使晶化效果有明显的提升。与

850

℃退火相比,在一个比较高的温度下退火,退火时间

相应缩短。可见

,退火温度与退火时间是相互关联的。

　 　 与

850

℃ 时 退

火

3h 对 比 , 将 退 火

时 间 缩 短

, 使 非 晶

硅 薄 膜 退 火

1h, 温

度

分

别

为

720

℃、790℃、840

℃、900℃、940℃。
由 图

4 可 知 , 当 退

火 时 间 为

1h 时 , 随

着退火温度的升高

,

非晶硅薄膜的晶化
越 来 越 充 分

, 在

520cm-1 处的晶硅特征峰也越来越高,薄膜晶化越来越好,达到了较好的退火效果,其中 900

℃

和

940

℃时的晶化率分别为 61%和 75%,可见,缩短退火时间可以通过升高退火温度来达到晶

化目的。由此也可以看出

,退火温度与退火时间是相互关联的。

退火后多晶硅薄
膜的结晶度随退
火温度的变化如
表

2 所示。

　 　 图

5 为

样

品

经

850

℃ 退 火

3h

后

的

SEM 图片。从图
5 可以看出,多晶硅薄膜材料表面由表面直径不同的颗粒组成,颗粒的大小分布不均。