图

2 在光滑与

织构的

AZO 表面

上沉积

a-Si 电池

获得的量子效率比

较

　　图

3 采用不同沉积技术获得 TCO 表面形貌图

2．减反层的研究
　　由于光会在两层不同的介质处发生反射，两介质折射率相差越大，反射也越大。在
superstrate 型薄膜硅电池中，TCO 的折射率（n～1.9）与硅薄膜的折射率（n～3.4）相差很
大，在界面处会有超过

10%的光被反射，为了减弱界面处光的反射，可以在 TCO 与硅材料

中间引入一层处于中间折射率（

n～2.5）的透明导电介质来减弱光的反射。T.Matsui 使用溅

射

TiO2 作为减反层提高了单结 a-Si 与?c-Si 的量子效率，但是由于 TiO2 在氢等离子的环境

下容易被还原，通过在

TiO2 的表面沉积一层 10nm 左右的 ZnO 来保护 TiO2，两类电池都

获得了更优的量子效率，如图

4 与图 5 所示。Das 等人在多结 a-Si 叠层电池中使用 TiO2 减反

层提高了电池的短路电流密度，在

a-Si/?c-Si 叠层电池中结合 TiO2 减反层与 SiOx 中间层技

术提高了顶电池的电流密度，同时减弱了底电池电流密度的损失，提高了顶电池与底电池
的电流匹配。