伤

,导致少子寿命下降;而沉积背面氮化硅后,虽然也会带来离子损伤,但是氮化硅中的氢原子

直接作用在背表面

,很好钝化背表面的表面态和悬挂键,使少子寿命上升。经过烧结之后,少子

寿命进一步的提升

,这可能是因为 diffused 硅片与 non2diffused 硅片相比,产生了新的物质,在

氮化硅和硅之间有一个缓冲层

,经过烧结之后,SI2H 和 N2H 断裂后的氢不容易形成氢气溢出,

不仅有表面钝化作用

,而且氢原子也会扩散到体内,进行体内钝化,少子寿命进一步提升。

　　

3 结论

　 　 利 用

PC1D

软 件 模 拟 背 面 复
合 速 度 、 硅 片 厚
度 与 电 池 效 率 的
关 系

, 模 拟 显 示

较 好 的 背 面 钝 化
效 果 不 仅 可 以 减
少 成 本 而 且 可 以
提高效率。采用
PECVD 方 法 沉 积
不同膜厚的双面氮
化硅薄膜

,通过 QSSPCD 测试少子寿命,研究不同膜厚对硅片的背面钝化效果,研究发现在

17nm 左右的时候,钝化效果有所下降,在高于 26nm 之后,钝化效果基本相同。扩散前的硅片烧
结前少子寿命上升很多

,经过烧结之后,少子寿命下降的很多,而经过扩散的硅片在烧结前后

的少子寿命都有所提高。在进一步研究当中

,背面钝化介质膜,可以选择比较薄的氮化硅厚度,

以便形成较好的背面接触

,尽量降低由填充因子所带来的效率损失。