机用

N

2

气体压力

5kg/cm

2

,泵浦用 N

2

气体压力

1

—2kg/cm

2

,O

2

和

CF

4

气体压力为

2

—3 

kg/cm

2

，

N

2

，

O

2

，

CF

4

气体纯度为

99.999%。

工艺过程：
预抽（初始

30s）

→主抽（泵抽 60s）→通气（进气 30s）→稳压(30s)→射频辉光（通

O2,CF4 18min）

→清洗（O220s）→抽气（抽排 30s）→回压（通 N2 107s）

通过辉光放电产生离子对硅片周边进行刻蚀，每

700 片刻蚀量 0.6

—0.8g，每片的刻蚀

量约

0.001g。
检查：刻蚀完成后要对刻蚀完成的硅片进行检测以判断刻蚀是否彻底。所用仪器：

DLY

—2 型 N—P 导电类型鉴别仪。

2.5 PSG 清洗

目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃（

PSG）以及电池片周边刻蚀生成物。

工艺过程：
上料

→HF 清洗（240s）→纯水漂洗（240s）→纯水漂洗（240s）→喷淋（180s）→下料

HF 槽中初配液：8L49%的 HF 溶液配以 120L 的纯水鼓泡三分钟，每洗 3000 枚加 HF

溶液

2L,加纯水 8L，再洗 3000 枚换初配液。清洗完后及时进行下道工序，不可长时间暴露。

1#槽反应过程不鼓泡，无篮时鼓泡，不加水；
2#，3#槽反应过程中加水并鼓泡，无篮时不加水，不鼓泡；
4#反应过程喷淋并排水。

2.6 PECVD

目的：在硅片表面形成一层氮化硅膜降低光在硅片表面的反射，提高光的利用效率；

同时可以钝化电池表面，减小表面复合速度。

原理：等离子体增强化学气相沉积（

PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有

薄膜组成的气态物质发生化学反应，实现薄膜材料生长。

PECVD 技术是通过反应气体放电

来制备薄膜的。

PECVD 法生产氮化硅反应式：xSiH4+yNH3=SixNyH(4x-3y)+3yH2。

放舟（

210s）

→慢抽（180s）→主抽（120s）→恒温（180s）→恒压（30s）→预淀积

（

240s）

→淀积（655s）→抽空（6s）→抽空（30s）→充氮（3s）→抽空（60s）→充氮

（

3s）

→抽空（60s）→充氮（3s）→抽空（60s）→结束（3s）→取舟

恒压和预淀积过程通

NH34300 sccm，淀积和相邻的抽空过程通 NH33300 

sccm，SiH4455 sccm.,反应过程中温度 450

℃，压力 180psi，压力对成膜影响较大，电极过

程中高频脉冲功率

3000w。

脉冲

26ms/30ms，实际淀积时间 655s×4÷30=87.33s。在气体流量不变的情况下，氮化硅

膜的折射率随（

SiH4）流量的增加而增大，而淀积速率却随着下降；温度对成膜速度影响

不是很大；淀积功率太高对硅片表面损伤较大，太低又影响淀积的速度和质量，所以功率
要合适。

淀积之后进行膜厚和折射率测试，一般膜厚

70

—80µm，折射率 2.0—2.1。

2.7 印刷

太阳能电池的印刷工艺是在电池的背面（

P 型）及电池的正面（N 型）用丝网印刷的

方法印刷金属材料的工艺，目的是用于将阳能电池在光照时产生的电流汇流并引出电池与
负载间形成工作回路。

烧结工艺是指将印刷好的金属浆料通过高温将内部的有机物辉发与烧掉，并将留下金

属部分与硅形成合金或欧姆接触的过程。

背银印刷：自动网板印刷机，低温烘干炉
印刷机进气

4

—6kgf/cm2，低温烘干炉压缩空气流量 40L/min，压力值 0.3MPa。印刷机