在短路情况下，当太阳电池组件其中某个硅片被遮挡时，它就不再正常工作，发

挥太阳电池的作用，而是相当于一个内阻，此时由其他太阳电池组件进行供电，由

　　

 
　　可知，此硅片生热主要取决于电流

I 的大小，而

　　

 
　　式中：

I 为逆电流;

　　

Id 为暗电流;

　　

Ish 为流过并联电阻的电流)对于不同的太阳电池硅片来说，每一块太阳电池硅片

的暗电流是不一样的。

　　因此由式

(2)我们可以得出结论，逆电流较大的太阳电池硅片，在外界环境相同的

条件下，其产生热斑的可能性较大。

　　实验室测试结果
　　为了验证遮挡造成的温度变化，我们在实验室进行了测试来加以验证。如图

3(a)～

图

3(g)所示，是在实验室模拟阳光照射，对一块多晶硅太阳电池组件随机挑选 7 块硅片遮

盖所作的升温实验曲线图表，用

Origin7.0 软件进行的拟合：

　　实验数据如表

1 所列，在实验室的测试条件为 AM1.5，1000W/m2，25

℃。

　　从上面分析的图形中分别选出斜率最大和最小的两组数据：即图

3(e)与图 3(a)两

组，测量开路电压、短路电流、对比逆电流进行比较，逆电流大的太阳电池硅片产生热斑的
可能性较大，符合理论分析。