图

2 在光

滑与织构的

AZO

表面上沉积

a-Si

电池获得的量子效

率比较

　　

 

　　图

3 采用不同沉积技术获得 TCO 表面形貌图

　　

2.减反层的研究

　　由于光会在两层不同的介质处发生反射，两介质折射率相差越大，反射也越大。在

superstrate 型薄膜硅电池中，TCO 的折射率(n～1.9)与硅薄膜的折射率(n～3.4)相差很大，
在界面处会有超过

10%的光被反射，为了减弱界面处光的反射，可以在 TCO 与硅材料中间

引入一层处于中间折射率

(n～2.5)的透明导电介质来减弱光的反射。T.Matsui 使用溅射 TiO2

作为减反层提高了单结

a-Si 与 µc-Si 的量子效率，但是由于 TiO2 在氢等离子的环境下容易

被还原，通过在

TiO2 的表面沉积一层 10nm 左右的 ZnO 来保护 TiO2，两类电池都获得了

更优的量子效率，如图

4 与图 5 所示。Das 等人在多结 a-Si 叠层电池中使用 TiO2 减反层提高

了电池的短路电流密度，在

a-Si/µc-Si 叠层电池中结合 TiO2 减反层与 SiOx 中间层技术提高

了顶电池的电流密度，同时减弱了底电池电流密度的损失，提高了顶电池与底电池的电流
匹配。