负 载
条 件 ： 电
池 电 压
=350v 、
输 出 电 流
=250a 、
输 出 电 压
=220v 、
输 出 频 率
=50hz 、
开 关 频 率
=12khz
， 相 位 角

cosf=0.85，冷却介质温度=70℃。这就是为什么在热成像图中，igbt 的位置
呈现为一个强烈的热源。在有基板模块情况下，热量集中在三相配置的中心。由
于半导体紧密的定位和相间的短距离，

igbt 的温度在这一点是最高的。虽然在

此运行状态下，续流二极管只承受中等的负载，

igbt 导致模块中心的续流二极

管显著升温。相比之下，逆变器模块边缘的二极管温度要低

15℃。尽管有底板，

逆变器模块边缘区域的功率半导体模块的温度要远远低于模块中心的，最终导
致三相的非均匀热分布：中间相

igbt 的平均热负载几乎比边上两相的 igbt 的

平均温度高

10℃。igbt 温度的最高值和最低值相差超过 20℃。中间相限制了整

个逆变器模块的可用电功率。这会有两个后果：一方面，不得不选择冷却条件和
负载，这样中心

dbc 基板的温度不至于过高；另一方面，温度传导的损伤机理

对中间相有较强的影响。这意味着为逆变器功率电路的设计工程师应始终把中间
相的温度因素包括进去。

　　在无基板

skim 模块中，热分布要均匀得多：这里，igbt 的位置也呈现为

一个强烈的热源。然而，由于热损耗分布在几个位置上，

dcb 基板之间的距离更

大，拥有更多的空间用于散热。所产生的损耗可有效地消散，减少

igbt 和二极

管之间的相互加热。最佳散热也确保在不同相上的均匀负载分布：功率逆变器三
相间的

igbt 和二极管温度是均匀的，所有三相的 igbt 平均温度几乎是相同的 。