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  此图为实测逆变器满载时的推挽

A 相与 B 相 MOS 管的 G 极波形(1:

10),由于采用了+15V 开通、-5V 关断的驱动方式,同时精选低 Qgs 的功率
MOS

管,驱动波形的 尖峰 干扰大为减少,也可看到由于采用了负压关断,满

载时从对方相位串扰过来的 毛刺 被有效控制在

0V 线以内(红圈),确保截

止时期的

MOS 管能绝对可靠地截止关断。

  在说环路反馈与过流保护前,接续

4 楼散热话题,先来说说结构设计与主

功率管的散热问题。举一个实例:某山寨小企业抄板了某个已成熟的逆变电路,
此电路在别人那里反映不错,而在自己这里的产品却炸主功率

MOS 管的比例

较高。。。。。

后告知先送个样机过来看看。。。拿到样机拆开后发现

8 个 TO-220 封装的

主功率

MOS 管密集在一边,铝壳壁厚度才 3mm~4mm.。。虽有热探头,还是

无语了。

  

25 度环境时,输出满载 1000W,10 分钟后图片 B 处(8 个 MOS 管的中

心位置)的温度比

A 处高出 6~8 度!C 处(绿圈)最低,比 B 处低 14~15 度!

C 处为进风口,D 为风扇,样机为进风设计,据说是用以延长含油轴承的寿

命),同样型号并联工作的功率

MOS 管,实

 

际工作的温差那么大,自然对 均流 是极其不利! 所以可靠性不高就不足

为怪了。