HIT 太阳能光伏
电池里
p/n 异质结中所发现的正向电流特性(0.4V 附近)的变化是由于 a-Si 顶层
膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶
层和结晶
Si 之间插入高质量 a-Si 膜(i 型 a-Si 膜)，通过顶层内的电场来抑制复
合电流，这就是
HIT 构造。通过导入约 5nm 左右的薄膜 i 型 a-Si 层，可看到反
向的饱和电流密度降低了约
2 个数量级。亦即通过导入 i 型 a-Si 层，能够大幅度
提高
Voc,见下图.
图三暗状态时的
I-V 特性比较
化学钝化和
HIT 太阳能光伏电池构造的寿命关系
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