这 就 要 求 采 用 均 匀
度级别较高的模拟光源（
A 级+/-2%，B 级+/-5%，C 级+/-10%）。
通过使用
10W 标准组件来测量组件测试仪的光强不均匀度，发现西安交大和上
海交大的组件测试仪的光强不均匀度均在
+/-5%以内，应该为 B 级模拟光源。
但在上海交大的组件测试仪上测量时，发现在光照面中间偏右处测量时
IV 曲线
有台阶（用于测量的
10W 标准组件没有连接旁路二极管）。
而因电池串间不均匀引起的台阶现象，可通过比较每片电池片的测量结果中
短路电流
Isc 和定电压点电流值 Iv（V=0.495V），选出结果相近的电池片。或
者定
Iv 和 Rsh 值分选，通过这样的分选方法可以很大程度上减少由于电池串的
不均匀引起的台阶现象。最终要通过电池片的生产工艺来控制
Iv 和 Isc 的离散性，
提高电池串的均匀性，最终达到提高组件
FF 的结果。
当 单晶电池片以定电压点的电流值
Iv(V=490mV)和 Rsh> 15 ohm 来分档；
多晶电池片以
Eff 和 Rsh >15 ohm 来分档时，分别做了一批电池片，发现组件的
IV 曲线的台阶现象有所减少，单晶组件的
FF 增加
，结果如下：
1． 对 单 晶 硅 来 说 ， 组 件 的 FF 的 平 均 值 从 73.5% （ 以 定 电 压 点 的 电 流 值
Iv(V=490mV)和 Rsh> 6 ohm 来分档）上升到 74.77%（85 个组件，在德国的
测试仪上测量）和
76.45%（25 个组件，在上海的测试仪上测量）；
2． 对多晶硅来说，组件的 FF 变化不大。
当单晶电池片以定电压点的电流值
Iv(V=490mV)和 Rsh> 20 ohm 来分档时，
IV 曲线的
台阶现象消失
，
FF 平均值为 75.49%，结果下图所示（该批组件是为
IEC 测量用的，共 6 片）：
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