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FLASH。按照 ADSP21160 的用户手册,8 位 FLASH 的数据线接 DSP 数据线的 32_39 位,地
址线必须从

ADDR0 开始与 ADSP21160 相应地地址位直接连接。ADSP21160 采用 EPROM

启动模式,用

/BMS 和/MS0 相与后连接于 FLASH 的使能端。

     图 1 系

统的整体框

外扩存

储器模块:

ADSP21160 是高性能的 32 位浮点处理器,对外最多可使用 64 位的数据总线。考虑到系统的
精度要求及内部数据的处理模式,本系统对外只使用了

32 位的数据总线。这样,在外扩存

储器的选择上,考虑到价格等因素,选用了两块

256K×16 位的 SRAM 并联构成 32 位的外

扩存储器,如图

2 所示。

     图 2 ADSP21160

SRAM 的连接

在地址线的连接

上,和一般的接法梢
有不同。由于
ADSP21160 规定,
对外部空间的寻址,
其奇地址通过低

32

位数据线传递;偶地
址通过高

32 位数据

线传递。考虑到在
FLASH 的连接上使
用了

DSP 数据线的

32_39 位,为了简化今后 PCB 板的布线及充分利用 SRAM 的存储空间,在设计中,将