的状态是使用者很关心的问题

,同时兼顾到安全性问题,因此需要在达到容许电压时截止充

电状态

.要同时符合这两个条件,必须有高精度的检测器,目前检测器的精度为 25mV,该精度

将

有

待

于

进

一

步

提

高

.

 

2.

 

降

低

保

护

IC

 

的

耗

电

随着使用时间的增加

,已充过电的锂离子电池电压会逐渐降低,最后低到规格标准值以下,此

时就需要再度充电

.若未充电而继续使用,可能造成由于过度放电而使电池不能继续使用.为

防止过度放电

,保护 IC 必须检测电池电压,一旦达到过度放电检测电压以下,就得使放电一方

的功率

MOSFET 关断而截止放电.但此时电池本身仍有自然放电及保护 IC 的消耗电流存在,

因 此 需 要 使 保 护

IC

消 耗 的 电 流 降 到 最 低 程 度

.  

3.   过 电 流 /

 

短 路 保 护 需 有 低 检 测 电 压 及 高 精 度 的 要 求

因不明原因导致短路时必须立即停止放电

.过电流的检测是以功率 MOSFET 的 Rds(on)为

感应阻抗

,以监视其电压的下降,此时的电压若比过电流检测电压还高时即停止放电.为了使

功率

MOSFET 的 Rds(on)在充电电流与放电电流时有效应用,需使该阻抗值尽量低,目前该

阻 抗 约 为

20mΩ~30mΩ, 这 样 过 电 流 检 测 电 压 就 可 较 低 .  

4.

 

 

耐

高

电

压

电 池 包 与 充 电 器 连 接 时 瞬 间 会 有 高 压 产 生

, 因 此 保 护 IC 应 满 足 耐 高 压 的 要 求 .  

5.

 

 

低

电

池

功

耗

在

保

护

状

态

时

, 其 静 态 耗 电 流 必 须 要 小

0.1uA.  

6.

 

 

零

伏

可

充

电

有些电池在存放的过程中可能因为放太久或不正常的原因导致电压低到

0V,故保护 IC 需要

在

0V

时

也

可

以

实

现

充

电

.

 

保

护

IC

 

发

展

展

望

如前所述

,未来保护 IC 将进一步提高检测电压的精度、降低保护 IC 的耗电流和提高误动作

防 止 功 能 等

, 同 时 充 电 器 连 接 端 子 的 高 耐 压 也 是 研 发 的 重 点 .  

在封装方面

,目前已由 SOT23-6 逐渐转向 SON6 封装,将来还有 CSP 封装,甚至出现 COB

产

品

用

以

满

足

现

在

所

强

调

的

轻

薄

短

小

要

求

.  

在功能方面

,保护 IC 不需要集成所有的功能,可根据不同的锂电池材料开发出单一保护 IC,如

只 有 过 充 保 护 或 过 放 保 护 功 能

, 这 样 可 以 大 大 减 少 成 本 及 尺 寸 .  

当然

,功能组件单晶体化是不变的目标,如目前手机制造商都朝向将保护 IC、充电电路以及

电源管理

IC 等外围电路与逻辑 IC 构成双芯片的芯片组,但目前要使功率 MOSFET 的开路

阻抗降低

,难以与其它 IC 集成,即使以特殊技术制成单芯片,恐怕成本将会过高.因此,保护 IC

的单晶体化将需一段时间来解决

.