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时,

ID 是恒流。从图 4

 

也可以看出,在

-VGS 增加时,ID 也相应增加。

  图

3 括流部

分电路

  图

4 P-

MOSFET 输出特

   

控 制 部 分

电路

  控制部分电路

的目的是要保持原

有的三阶段充电模式,在预充电阶段及恒压充电阶段不扩流,扩流仅在恒流阶

段,如图

5 所示。

  图

5 括流电

路的电流表现

    原 充 电 器 以

1A 电 流 充 电 , 若

扩 流 电 流 为

1A ,

则在恒流充电阶段

时 充 电 电 流 为

2A。图 5 中红线为

充电电池电压特性、黑线为充电电流特性,实线为加扩流特性,虚线为未加扩流

特性。从图

5 可看出:扩流的充电时间 t5 比不扩流的时间要短(图 5 中的时间坐

标并未按比例画

);并且也可以看出:扩流仅在恒流充电阶段进行。

  为保证扩流在电池电压

3.0V 开始,在电池电压 4.15V 时结束,控制电路

设置了窗口比较器,在电池电压

(VBAT)为 3.0~4.15V 之间控制 P-MOSFET

导通。在此窗口电压外,

P-MOSFET 截止。