您好,欢迎来到一览通信文库!找通信资料上一览通信文库!
一览( 微信公众号:yilanshequ )

一览( 微信公众号:yilanshequ )

打开微信扫一扫,即可直接关注

收藏我们 | 登录 | 注册
当前位置:一览文库> 电气电力 > 光伏 > 工艺工程师/工艺员 > PECVD法生长氮化硅工艺的研究
PECVD法生长氮化硅工艺的研究

PECVD法生长氮化硅工艺的研究

一览通:免费获取520份薪酬绩效文档

级别:| 积分:0 分 | 浏览:73692 | 大小:500.09KB | 下载:4067 次 | 上传:2013-09-30

简介:

采用了等离子体增强化学气相沉积法在聚 酰亚胺牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频 MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。

[展开]
         
下载文档到电脑,查找使用更方便
需0积分下载

猜你喜欢

收藏 下载此文档 所需积分:0分