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低应力PECVD氮化硅薄膜的制备

低应力PECVD氮化硅薄膜的制备

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级别:| 积分:0 分 | 浏览:73299 | 大小:126.50KB | 下载:4055 次 | 上传:2013-10-22

简介:

研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右。

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