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用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性
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简介:采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/ Sn/ ZnS 前驱体,在氮气保护下,硫化制备了CueZnSnS4(CZTS)薄膜. 运用X 射线衍射仪(XRD) , Hall 效应测试仪、紫外一可见光(UV-VIS) 分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu 的质量的控 制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS 薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1. 51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载
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