不讲详细的东西，只针对你的情况临时抱佛脚了。
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，了解常见器件。

  比如：

二极管有反向恢复时间

，

产生噪声

，

emc 的源头之一

。

       电解电容重要的几个指标，比如 ESR，寿命等。
对于普通电解电容器，关注容量 C，额定电压 V，漏电流 IL，损耗 D，
对于低阻抗系列电解电容器，除了关注容量，电压，漏电流外，还要关
注 ESR 值，
ESR，是低阻抗系列电解电容器的一个非常重要的指标。
        MOSFET 驱动的几种方式，各自特点。这比较重要，比较差的公司喜欢
问。
        变压器更是重点核心，磁芯的饱和，线圈的几种肌肤、邻近效应等容易
产生损耗。
             

 

这里重点看反激，正激，半桥变压器部分， 特别是反激，占你分量

的 50%以上。
       驱动芯片：比如常规的 UC3842 要熟悉，还有 PI 等单芯片电源的 IC。比
如 ST 的性价比高，PI 的性能好，EMC 好过，比较贵之类，短时间你也不可
能了解太深，只能和人家吹吹八卦了。

⑴解答

：二极管在接反向电压的时候，在两边的空穴和电子是不接触的，

没有电流流过，但是同时形成了一个等效电容，如果这个时候改变两边的电
压方向，自然有一个充电的过程，这个时间就是二极管反向恢复时间。用示波
器可以看到结电容的充电时间的。实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复
时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
实际的意义在于：该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果

 

反向脉冲的持续时间比反向恢复时间 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不
到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取二级管和合理设计电路
非常重要。（ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间,）

⑵解答：

电子、载流子的不规则运动都会产生电路噪声，只要电路工作就会有

噪声。
相对来讲大功率二极管在反相击穿后产生的电流噪声较大，其实说穿了就是
不规则运动加剧了。

2，电路拓扑
    电源方面，BUCK，反激要清楚。
    当然目前最火的 LLC，移项，有源嵌位知道有这么回事就行。短时间你搞不
明白。

3，软件
    

    

画原理图

orcad 

 

， protel

       画 pcb            protel    pads   等吹吹。
    

      

仿真

orcad   saber  

       看人家不懂就说说，人家很懂就别说了。

4，调试仪器
   

   

万用表，示波器 还指定泰克的好，（挑剔啊）。